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MBR20120LCT

LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

BYTESONICBytesonic Electronics Co., Ltd.

松浩電子松浩電子股份有限公司

MBR20120LFCT

LOWVFSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER

BYTESONICBytesonic Electronics Co., Ltd.

松浩電子松浩電子股份有限公司

MBRB20120CT

SCHOTTKYRECTIFIER

SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd

燒結(jié)金屬

MBRF20120C

FullPlasticDualSchottkyBarrierPowerRectifiers

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導體股份有限公司

MBRF20120CK

FullPlasticDualSchottkyBarrierPowerRectifiers

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導體股份有限公司

MBRF20120CL

FullPlasticDualSchottkyBarrierPowerRectifiers

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導體股份有限公司

MBRF20120CT

SCHOTTKYRECTIFIER

SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd

燒結(jié)金屬

MBRF20120CT

MBRF20120CTSCHOTTKYRECTIFIER

Features 150?CTJoperation Centertapconfiguration Lowforwardvoltagedrop Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Highfrequencyoperation Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability ThisisaPb?Fre

SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD

桑德斯微電子桑德斯微電子器件（南京）有限公司

MBRF20120D

20.0AMPSIsolatedSchottkyBarrierRectifier

Features ◇PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratoryClassifications94V-0 ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◇Lowpowerloss,highefficiency ◇Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ◇HighSurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequency

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

MUR20120

UltraFastRecoveryDiodes

FEATURES *Internationalstandardpackage *Glasspassivatedchips *Veryshortrecoverytime *Extremelylowlossesathighswitchingfrequencies *LowIRM-values *Softrecoverybehaviour APPLICATIONS *Antiparalleldiodeforhighfrequencyswitchingdevices *Antisaturationdiode *Sn

SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors

矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司

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更多MBR20120LCT供應商 更新時間2025-3-18 9:37:00

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