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MBRB10100-M3

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowerpowerlosses,highefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?Highforwardsurgecapability ?Highfrequencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

MBRB10100-M3

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowerpowerlosses,highefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?Highforwardsurgecapability ?Highfrequencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof 245°C ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

MBRB10100-M3

High-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowerpowerlosses,highefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?Highforwardsurgecapability ?Highfrequencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof 245°C ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance plea

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

MBRB10100-M3/4W

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

MBRB10100-M3/8W

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

MBR10100-M3

HighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowerpowerlosses,highefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?Highforwardsurgecapability ?Highfrequencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vish

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

MBR10100-M3

High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowerpowerlosses,highefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?Highforwardsurgecapability ?Highfrequencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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更多MBRB10100-M3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-21 14:50:00

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