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MBRS130LT3	文件：63.74 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyPowerRectifier(SurfaceMountPowerPackage) ...EmploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal–to–siliconpowerdiode.State–of–the–artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingandpolarityprot	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MBRS130LT3	文件：95.76 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MBRS130LT3G	文件：278.42 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyPowerRectifierSurfaceMountPowerPackage ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal?to?siliconpowerdiode.State?of?the?artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification, orasfreewheelingandpol	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MBRS130LT3G	文件：153.31 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyPowerRectifier SchottkyPowerRectifier SurfaceMountPowerPackage ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal?to?siliconpowerdiode.State?of?the?artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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