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MBRS260T3G_V01

Surface Mount Schottky Power Rectifier

ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleina metal?to?siliconpowerrectifier.Featuresepitaxialconstructionwith oxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlow voltage,highfrequencyswitchingpowersupplies;freewheeling diodesandp

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

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更多MBRS260T3G_V01供應商 更新時間2024-12-28 11:00:00

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