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MBRS360T3G_V01

Surface Mount Schottky Power Rectifier

ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal?to?siliconpowerdiode.State?of?the?artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,or asfreewheelingandpol

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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更多MBRS360T3G_V01供應(yīng)商 更新時間2025-2-7 22:30:00