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MBT3904DW2

Dual General Purpose Transistors

TheMBT3904DW1andMBT3904DW2devicesareaspin?offofourpopularSOT?23/SOT?323three?leadeddevice.ItisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsandishousedintheSOT?363six?leadedsurfacemountpackage.Byputtingtwodiscretedevicesinonepackage,thisdeviceisidealfor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MBT3904DW2T1

Dual General Purpose Transistors

TheMBT3904DW1T1andMBT3904DW2T1devicesareaspin-offofourpopularSOT-23/SOT-323three-leadeddevice.ItisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsandishousedintheSOT-363six-leadedsurfacemountpackage.Byputtingtwodiscretedevicesinonepackage,thisdeviceisideal

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MBT3904DW2T1G

Dual General Purpose Transistors

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MBT3904DW2T1G

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MBT3904DW2T1G

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MBT3904DW2T1

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FMBT3904DW2

DualNPNTransistor

DualGeneralPurposeTransistorNPN+NPNSilicon Features ?Highcollector-emitterbreakdienvoltage.(BVCEO=40V@I=1mA) ?Smallloadswitchtransistorwithhighgainandlowstaurationvoltage,isdesignedforgeneralpurposeamflifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrent. ?Offer

FORMOSAFormosa MS

美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    MBT3904DW2

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ON/安森美
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NA
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電子元器件供應(yīng)原裝現(xiàn)貨. 優(yōu)質(zhì)獨(dú)立分銷。原廠核心渠道
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原裝正品,歡迎來電咨詢!
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ON/安森美
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ON Semiconductor
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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ON/安森美
NA
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普通
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ON/安森美
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原裝現(xiàn)貨,假一罰十
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6-TSSOP SC-88 SOT-363
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獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證
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 詢價(jià)
更多MBT3904DW2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-10 10:53:00

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