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MC100EP08DR2集成電路(IC)的門反相器-多功能可配置規(guī)格書PDF中文資料

MC100EP08DR2
廠商型號(hào)

MC100EP08DR2

參數(shù)屬性

MC100EP08DR2 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為管件;類別為集成電路(IC)的門反相器-多功能可配置;產(chǎn)品描述:IC GATE XOR/XNOR ECL 2INP 8-SOIC

功能描述

Differential 2-Input XOR/XNOR
IC GATE XOR/XNOR ECL 2INP 8-SOIC

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

75.98 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-29 11:00:00

MC100EP08DR2規(guī)格書詳情

MC100EP08DR2屬于集成電路(IC)的門反相器-多功能可配置。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MC100EP08DR2門和反相器 - 多功能,可配置可配置邏輯柵極系列產(chǎn)品能以與標(biāo)準(zhǔn)邏輯柵極類似的方式,對(duì)單個(gè)邏輯信號(hào)執(zhí)行基本邏輯運(yùn)算,但并非局限于一個(gè)特定功能(例如 AND、NAND 等)。它們通常在內(nèi)部使用少量邏輯門來實(shí)現(xiàn),經(jīng)過選擇和互連后,以便通過選擇操作數(shù)據(jù)所應(yīng)用的輸入以及任何未使用的輸入在驅(qū)動(dòng)后的邏輯狀態(tài),來配置所實(shí)現(xiàn)的整體邏輯功能。

Description

The MC10/100EP08 is a differential XOR/XNOR gate. The EP08 is ideal for applications requiring the fastest AC performance available.

The 100 Series contains temperature compensation.

Features

? 250 ps Typical Propagation Delay

? Maximum Frequency > 3 GHz Typical

? PECL Mode Operating Range: VCC = 3.0 V to 5.5 V with VEE = 0 V

? NECL Mode Operating Range: VCC = 0 V with VEE = ?3.0 V to ?5.5 V

? Open Input Default State

? Safety Clamp on Inputs

? Q Output Will Default LOW with Inputs Open or at VEE

? These are Pb?Free Devices

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MC100EP08DR2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    集成電路(IC) > 門和反相器 - 多功能,可配置

  • 系列:

    100EP

  • 包裝:

    管件

  • 邏輯類型:

    異或/異或非門

  • 輸入數(shù):

    2 輸入(1,1)

  • 施密特觸發(fā)器輸入:

  • 輸出類型:

    差分

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE XOR/XNOR ECL 2INP 8-SOIC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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