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MC33152DG集成電路（IC）的柵極驅動器規(guī)格書PDF中文資料

MC33152DG
廠商型號

MC33152DG
參數(shù)屬性

MC33152DG 封裝/外殼為8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的柵極驅動器；產品描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
功能描述

High Speed Dual MOSFET Drivers
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
封裝外殼

8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
文件大小

228.83 Kbytes
頁面數(shù)量

12 頁
生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網
原廠標識
數(shù)據手冊

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更新時間

2025-5-19 9:46:00
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MC33152DG規(guī)格書詳情

MC33152DG屬于集成電路（IC）的柵極驅動器。由安森美半導體公司制造生產的MC33152DG柵極驅動器柵極驅動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來自電源轉換應用中控制設備的信號連接到電源被控制通過的半導體設備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅動的半導體配置相關。

The MC34152/MC33152 are dual noninverting high speed drivers specifically designed for applications that require low current digital signals to drive large capacitive loads with high slew rates. These devices feature low input current making them CMOS/LSTTL logic compatible, input hysteresis for fast output switching that is independent of input transition time, and two high current totem pole outputs ideally suited for driving power MOSFETs. Also included is an undervoltage lockout with hysteresis to prevent system erratic operation at low supply voltages. Typical applications include switching power supplies, dc?to?dc converters, capacitor charge pump voltage doublers/inverters, and motor controllers. This device is available in dual?in?line and surface mount packages.

Features

? Two Independent Channels with 1.5 A Totem Pole Outputs

? Output Rise and Fall Times of 15 ns with 1000 pF Load

? CMOS/LSTTL Compatible Inputs with Hysteresis

? Undervoltage Lockout with Hysteresis

? Low Standby Current

? Efficient High Frequency Operation

? Enhanced System Performance with Common Switching Regulator Control ICs

? NCV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Site and Change Controls

? These are Pb?Free and Halide?Free Devices

產品屬性

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  • 產品編號：

    MC33152DG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅動器

  • 包裝：

    管件

  • 驅動配置：

    低端

  • 通道類型：

    獨立式

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    6.1V ~ 18V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    0.8V，2.6V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    1.5A，1.5A

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時間（典型值）：

    36ns，32ns

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON Semiconductor
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