MC3423DR2電路保護(hù)的TVS-混合技術(shù)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MC3423DR2 |
| 參數(shù)屬性 | MC3423DR2 封裝/外殼為8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝為卷帶（TR）；類別為電路保護(hù)的TVS-混合技術(shù)；MC3423DR2應(yīng)用范圍：通用；產(chǎn)品描述：IC SENSOR OVERVOLTAGE 8-SOIC |
| 功能描述 | Overvoltage Crowbar Sensing Circuit |
| 封裝外殼 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 文件大小 |
86.82 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-23 23:00:00 |
MC3423DR2規(guī)格書詳情
MC3423DR2屬于電路保護(hù)的TVS-混合技術(shù)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MC3423DR2TVS - 混合技術(shù)混合技術(shù) TVS（瞬態(tài)電壓抑制器）產(chǎn)品族中的產(chǎn)品屬于過壓保護(hù)產(chǎn)品，其中結(jié)合了基于多種技術(shù)的保護(hù)機(jī)制，例如串聯(lián)連接的 MOV（金屬氧化物壓敏電阻）和 GDT（氣體放電管），旨在同時獲得低漏電流和自恢復(fù)箝位工作特性。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
MC3423DR2
- 制造商：
onsemi
- 類別：
電路保護(hù) > TVS - 混合技術(shù)
- 包裝：
卷帶（TR）
- 技術(shù)：
混合技術(shù)
- 應(yīng)用：
通用
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：
8-SOIC
- 描述：
IC SENSOR OVERVOLTAGE 8-SOIC
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
23+ |
8SOIC(0.154,3.90mm 寬) |
7350 |
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詢價 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA/ |
8735 |
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ON Semiconductor |
23+ |
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SMD |
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標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
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SOP |
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