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MCB20P1200LB-TRR分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FETMOSFET-陣列規(guī)格書PDF中文資料

MCB20P1200LB-TRR
廠商型號(hào)

MCB20P1200LB-TRR

參數(shù)屬性

MCB20P1200LB-TRR 封裝/外殼為9-PowerSMD;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 陣列;產(chǎn)品描述:MCB20P1200LB-TRR

功能描述

SiC Power MOSFET
MCB20P1200LB-TRR

文件大小

381.34 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-17 15:30:00

MCB20P1200LB-TRR規(guī)格書詳情

Features / Advantages:

? High speed switching

with low capacitances

? High blocking voltage

with low RDS(on)

? Easy to parallel and simple to drive

? Resistant to latch-up

? Real Kelvin source connection

Applications:

? Solar inverters

? High voltage DC/DC converters

? Motor drives

? Switch mode power supplies

? UPS

? Battery chargers

? Induction heating

MCB20P1200LB-TRR屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 陣列。IXYS Corporation制造生產(chǎn)的MCB20P1200LB-TRR晶體管 - FET,MOSFET - 陣列場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 是使用電場(chǎng)控制電流流動(dòng)的電子器件。向柵極端子施加電壓會(huì)改變漏極端子和源極端子之間的電導(dǎo)率。FET 也稱為單極型晶體管,因?yàn)槠渖婕皢屋d流子類型的操作。也就是說,F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子,而不是同時(shí)使用兩者。場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MCB20P1200LB-TRR

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 陣列

  • 系列:

    MCB20P1200LB

  • 包裝:

    管件

  • FET 類型:

    4 N 溝道(半橋)

  • FET 功能:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 漏源電壓(Vdss):

    1200V(1.2kV)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    9-PowerSMD

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    9-SMPD-B

  • 描述:

    MCB20P1200LB-TRR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IXYS
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