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MCH6306	文件：53.87 Kbytes Page：4 Pages	MCH6306 General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features ?LowON-resistance. ?Ultrahigh-speedswitching. ?4Vdrive.	SANYOSanyo 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
MCH6306	文件：1.05721 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MG6306WZ	文件：246.38 Kbytes Page：4 Pages	650V20AInsulatedGateBipolarTransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
MIS6306	文件：486.48 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?LowOn-Resistance ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverters,HighSpeedSwitching	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
NX6306	文件：272.32 Kbytes Page：11 Pages	LASERDIODE 1310nmFOR156Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/s InGaAsPMQW-DFBLASERDIODE DESCRIPTION TheNX6306Seriesisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitor PIN-PD.ThisdeviceisidealforGigabitEthernetandSynchronousDigital Hi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NX6306	文件：388.69 Kbytes Page：5 Pages	1310nmInGaAsPMQWDFBLASERDIODEINCANPACKAGEFOR155Mb/sand622Mb/sAPPLICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
NX6306GH	文件：388.69 Kbytes Page：5 Pages	1310nmInGaAsPMQWDFBLASERDIODEINCANPACKAGEFOR155Mb/sand622Mb/sAPPLICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
NX6306GH	文件：272.32 Kbytes Page：11 Pages	LASERDIODE 1310nmFOR156Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/s InGaAsPMQW-DFBLASERDIODE DESCRIPTION TheNX6306Seriesisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitor PIN-PD.ThisdeviceisidealforGigabitEthernetandSynchronousDigital Hi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NX6306GK	文件：272.32 Kbytes Page：11 Pages	LASERDIODE 1310nmFOR156Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/s InGaAsPMQW-DFBLASERDIODE DESCRIPTION TheNX6306Seriesisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitor PIN-PD.ThisdeviceisidealforGigabitEthernetandSynchronousDigital Hi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NX6306GK	文件：388.69 Kbytes Page：5 Pages	1310nmInGaAsPMQWDFBLASERDIODEINCANPACKAGEFOR155Mb/sand622Mb/sAPPLICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
NX6306SH	文件：388.69 Kbytes Page：5 Pages	1310nmInGaAsPMQWDFBLASERDIODEINCANPACKAGEFOR155Mb/sand622Mb/sAPPLICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
NX6306SH	文件：272.32 Kbytes Page：11 Pages	LASERDIODE 1310nmFOR156Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/s InGaAsPMQW-DFBLASERDIODE DESCRIPTION TheNX6306Seriesisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitor PIN-PD.ThisdeviceisidealforGigabitEthernetandSynchronousDigital Hi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NX6306SK	文件：272.32 Kbytes Page：11 Pages	LASERDIODE 1310nmFOR156Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/s InGaAsPMQW-DFBLASERDIODE DESCRIPTION TheNX6306Seriesisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitor PIN-PD.ThisdeviceisidealforGigabitEthernetandSynchronousDigital Hi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NX6306SK	文件：388.69 Kbytes Page：5 Pages	1310nmInGaAsPMQWDFBLASERDIODEINCANPACKAGEFOR155Mb/sand622Mb/sAPPLICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
PT6306	文件：319.25 Kbytes Page：3 Pages	3AMPHIGH-PERFORMANCEADJUSTABLEISR	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
PT6306	文件：646.11 Kbytes Page：18 Pages	64-BitHighVoltageDisplayDriverIC DESCRIPTION PT6306isa64-BitHigh-VoltageDisplayDriverutilizingCMOSTechnologyspeciallydesignedforVFD displaypanels.Itprovides64-bitbidirectionalshiftregister,64-bitlatchandhigh-voltageCMOSDriver. Thelogiccircuitoperateson5Vpowersupply(CMOSLevelInput)maki	PTCPrinceton Technology Corporation 普誠(chéng)普誠(chéng)科技	PTC
PT6306	文件：347.95 Kbytes Page：6 Pages	InternalShortCircuitProtection	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
PT6306A	文件：347.95 Kbytes Page：6 Pages	InternalShortCircuitProtection	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
PT6306B	文件：347.95 Kbytes Page：6 Pages	InternalShortCircuitProtection	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
PT6306C	文件：347.95 Kbytes Page：6 Pages	InternalShortCircuitProtection	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
MCH6306
制造商：
SANYO
制造商全稱：
Sanyo Semicon Device
功能描述：
MCH6306

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	MCH6306	SANYO	24+		90000		詢價(jià)
深圳市益百分電子有限公司	MCH6306-TL-E	TOSH	04+	SOT26/	3400	全新原裝進(jìn)口自己庫(kù)存優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市凌旭科技有限公司	MCH6306-TL-E	SANYO	2016+	SOT-363	30000	只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票!	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	MCH6306-TL-E	SANYO	2020+	SOT363	3000	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢價(jià)
深圳市鑫宇楊電子科技有限公司	MCH6306-TL	SANYO	2020+	原廠封裝	35000	100%進(jìn)口原裝正品公司現(xiàn)貨庫(kù)存	詢價(jià)
深圳市納立科技有限公司	MCH6306-TL-E		三年內(nèi)		1983	納立只做原裝正品13590203865	詢價(jià)
深圳市納艾斯科技有限公司	MCH6306-TL-E	SANYO	2020+	SOT6	80000	只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增	詢價(jià)
深圳市拓億芯電子有限公司	MCH6306-TL-E	SANYO	23+	SOT6	30000	代理全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
艾睿國(guó)際（香港）有限公司	MCH6306-TL-E	SANYO/三洋	2021+	SOT-363	100500	一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨	詢價(jià)
深圳市振芯物聯(lián)科技有限公司	MCH6306-TL-E	SANYO	22+	TO363	28600	只做原裝正品現(xiàn)貨假一賠十一級(jí)代理	詢價(jià)

更多MCH6306供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-30 15:30:00

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