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MCH6342-TL-H中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

MCH6342-TL-H
廠商型號(hào)

MCH6342-TL-H

功能描述

Single P-Channel Power MOSFET

文件大小

533.78 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-26 9:18:00

MCH6342-TL-H規(guī)格書(shū)詳情

This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to minimize gate charge and low on resistance. This device is suitable for applications with low gate charge driving or low on resistance requirements.

Features

? Low On-Resistance

? 1.8V drive

? High Speed Switching

? ESD Diode-Protected Gate

? Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliance

Typical Applications

? DC/DC Converter

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    MCH6342-TL-H

  • 功能描述:

    MOSFET SWITCHING DEVICE

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
三年內(nèi)
1983
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