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MCR01MZPJ5R6

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

FEATURES ?TheNESG3033M14isanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=0.6dBTYP.@VCE=2V,IC=6mA,f=2.0GHz ?Maximumstablepowergain:MSG=20.5dBTYP.@VCE=2V,IC=15mA,f=2.0GHz ?SiGeHBTtechnology(UHS3)adopted:fmax=110GHz ?Thisproduct

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瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多MCR01MZPJ5R6供應(yīng)商 更新時間2024-12-27 15:00:00

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