MCR01MZPJ823中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號(hào)	MCR01MZPJ823
功能描述	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain
文件大小	176.65 Kbytes
頁面數(shù)量	16 頁
生產(chǎn)廠商	Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱	RENESAS【瑞薩】
中文名稱	瑞薩科技有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間	2025-2-14 8:00:00

FEATURES

? The NESG3033M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification

NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz

? Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz

? SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz

? This product is improvement of ESD of NESG3032M14.

? 4-pin lead-less minimold (M14, 1208 PKG)

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市弘為電子有限公司	MCR01MZPJ911	ROHM	24+	04+	10	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市德正通電子有限公司	MCR01MZPJ913	ROHM Semiconductor	兩年內(nèi)		100	原裝正品現(xiàn)貨,德為本,正為先,通天下!	詢價(jià)
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深圳市祥瑞智科技有限公司	MCR01MZPJ823	ROHM	25+	SMD	10000	原廠原裝,價(jià)格優(yōu)勢!13246658303	詢價(jià)
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