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MCZ33285EF集成電路(IC)的柵極驅動器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
MCZ33285EF |
參數(shù)屬性 | MCZ33285EF 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的柵極驅動器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC |
功能描述 | Dual High-Side TMOS Driver |
封裝外殼 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
文件大小 |
317.33 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
13 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Freescale Semiconductor, Inc |
企業(yè)簡稱 |
freescale【飛思卡爾】 |
中文名稱 | 飛思卡爾半導體官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-3-21 18:02:00 |
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MCZ33285EF規(guī)格書詳情
Dual High-Side TMOS Driver
A single input controls the 33285 in driving two external high-side N-Channel TMOS power FETs controlling incandescent or inductive loads. Pulse Width Modulated (PWM) input control to 1.0 kHz is possible. The 33285 contains a common internal charge pump used to enhance the Gate voltage of both FETs.
Features
? PWM Capability
? Power TMOS Number One (OUT1) Short-Circuit Detection and Short-Circuit Protection
? Voltage Range 7.0 V ≤ 40 V
? Extended Temperature Range from -40°C ≤ 125°C
? Load Dump Protected
? Overvoltage Detection and Activation of OUT2 During Overvoltage
? Single Input Control for Both Output Stages
? Capacitor Value of 100 nF Connected to Pin CP
? Analog Input Control Measurement Detection
? OUT1 LOAD Leakage Measurement Detection
? Pb-Free Packaging Designated by Suffix Code EF
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
MCZ33285EF
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
集成電路(IC) > 柵極驅動器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 驅動配置:
高端
- 通道類型:
同步
- 柵極類型:
N 溝道 MOSFET
- 電壓 - 供電:
7V ~ 40V
- 邏輯電壓?- VIL,VIH:
0.7V,1.7V
- 輸入類型:
非反相
- 工作溫度:
-40°C ~ 125°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商器件封裝:
8-SOIC
- 描述:
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
21+ |
8SOIC |
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