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MD2009DFX分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MD2009DFX
廠商型號

MD2009DFX

參數(shù)屬性

MD2009DFX 封裝/外殼為TO-3P-3 整包;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 700V 10A TO3PF

功能描述

High voltage NPN Power transistor for standard definition CRT display
TRANS NPN 700V 10A TO3PF

封裝外殼

TO-3P-3 整包

文件大小

225.46 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-18 23:00:00

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MD2009DFX規(guī)格書詳情

MD2009DFX屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的MD2009DFX晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術。

Description

The MD2009DFX is manufactured using Diffused Collector in Planar Technology adopting new and enhanced high voltage structure. The new MD product series show improved silicon efficiency bringing updated performance to the Horizontal Deflection stage.

General features

■ State-of-the-art technology:

– diffused collector “enhanced generation”

■ More stable performance versus operating

temperature variation

■ Low base drive requirement

■ Tighter hFE range at operating collector current

■ Fully insulated power package U.L. compliant

■ Integrated free wheeling diode

■ In compliance with the 2002/93/EC European

directive

Applications

■ Horizontal deflection output for TV

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MD2009DFX

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    2.8V @ 1.4A,5.5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    200μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    5 @ 5.5A,5V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3 整包

  • 供應商器件封裝:

    TO-3PF

  • 描述:

    TRANS NPN 700V 10A TO3PF

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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