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MDP06N090TH

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=62A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=9mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MDP06N090TH

Single N-channel Trench MOSFET 60V, 62A, 9.0m(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDP06N090

SingleN-channelTrenchMOSFET60V,62A,9.0m(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

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更多MDP06N090TH供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-10 16:06:00

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