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MDP12N50F	文件：1.38988 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.75ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP12N50FTH	文件：1.38988 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.75ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP12N50TH	文件：331.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MDP12N50TH	文件：772.67 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MSAER12N50A	文件：48.44 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Features ?Ultrafastrectifierinparallelwiththebodydiode(MSAEtypeonly) ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?IncreasedUnclampedInductiveSwitching(UIS)capability ?Hermeticallysealed,surfacemountpowerpackage ?Lowpackageinductance ?Verylowthermalresistance ?Rev	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MSAFR12N50A	文件：48.44 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Features ?Ultrafastrectifierinparallelwiththebodydiode(MSAEtypeonly) ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?IncreasedUnclampedInductiveSwitching(UIS)capability ?Hermeticallysealed,surfacemountpowerpackage ?Lowpackageinductance ?Verylowthermalresistance ?Rev	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SIHA12N50E	文件：168.98 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Lowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Comput	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHA12N50E	文件：173.49 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Lowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Computing	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHA12N50E	文件：319.73 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SIHB12N50C	文件：322.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SIHB12N50C	文件：274.74 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHB12N50C	文件：328.62 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFETs FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHB12N50E	文件：208.49 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Lowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Comput	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHB12N50E	文件：209.41 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Lowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Computing	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHB12N50E	文件：322.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SIHD12N50E	文件：194.47 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHD12N50E	文件：250.26 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SIHF12N50C	文件：328.62 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFETs FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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SIHF12N50C	文件：1.038089 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI

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更多MDP12N50F供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-14 11:00:00

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