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MDS1100 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 MICROSEMI/美高森美

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原廠料號：MDS1100品牌：MICROSEMI/美高森美

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MDS1100是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商MICROSEMI/美高森美/Microsemi Corporation生產(chǎn)封裝TO-59/55TU-1的MDS1100晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號：

    MDS1100

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    MICROSEMI【美高森美】詳情

  • 廠商全稱：

    Microsemi Corporation

  • 中文名稱：

    美高森美公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    4 頁

  • 文件大?。?/span>

    121.67 kb

  • 資料說明：

    a high power COMMON BASE bipolar transistor.

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MDS1100

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    65V

  • 頻率 - 躍遷：

    1.03GHz

  • 增益：

    8.9dB

  • 功率 - 最大值：

    8750W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 5A，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    100A

  • 工作溫度：

    200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    55TU-1

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    55TU-1

  • 描述：

    RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市百諾芯科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張先生

  • 手機(jī)：

    13267201027

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83796429

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1002號賽格廣場2002A

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