MDS400分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MDS400 |
| 參數(shù)屬性 | MDS400 封裝/外殼為55KT；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55KT |
| 功能描述 | 400 Watts Pk, 45 Volts, 32us, 2 Avionics 1030-1090 MHz |
| 封裝外殼 | 55KT |
| 文件大小 |
28.74 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
1 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | GHz Technology |
| 企業(yè)簡稱 |
GHZTECH |
| 中文名稱 | GHz Technology官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-24 8:02:00 |
MDS400規(guī)格書詳情
GENERAL DESCRIPTION
The MDS400 is a COMMON BASE transistor capable of providing 400 Watts Peak, Pulsed, RF Output Power over the band 1030-1090 MHz. The transistor includes double input prematching for full broadband capability. Gold Metalization and Diffused Ballasting are used to provide high reliability and supreme ruggedness.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MDS400
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
55V
- 頻率 - 躍遷：
1.03GHz ~ 1.09GHz
- 增益：
6.5dB
- 功率 - 最大值：
1450W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 1A，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
40A
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
55KT
- 供應(yīng)商器件封裝：
55KT
- 描述：
RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55KT
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
JST |
21+ |
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