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MTD20P06	文件：988.41 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MTD20P06	文件：308.53 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFETLOGICLEVEL15AMPERES60VOLTSRDS(on)=175MOHM HDTMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–so	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD20P06HDL	文件：91.91 Kbytes Page：8 Pages	P??hannelDPAKPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTD20P06HDL	文件：308.53 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFETLOGICLEVEL15AMPERES60VOLTSRDS(on)=175MOHM HDTMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–so	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
NP20P06SLG	文件：307.49 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP20P06SLG	文件：307.49 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP20P06SLG	文件：988.13 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
NP20P06SLG	文件：299.47 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=48mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP20P06YLG	文件：126.55 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP20P06YLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)=47m?MAX.(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)=64m?MAX.(VGS=–5V,ID=–10A) RDS(on)=70m?MAX.(VGS=–4.5V,ID=–10A	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NTD20P06HD	文件：987.97 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
NTD20P06L	文件：93.13 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTD20P06L	文件：260.04 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=48mΩ(Max)@VGS=-5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NTD20P06L	文件：156.59 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET??0V,??5.5A,SingleP??hannel,DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTD20P06L	文件：140.45 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTD20P06L	文件：119.94 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET??0V,??5.5A,SingleP??hannel,DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTD20P06LG	文件：119.94 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET??0V,??5.5A,SingleP??hannel,DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTD20P06LG	文件：985.58 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
NTD20P06LG	文件：93.13 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTDV20P06L	文件：156.59 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET??0V,??5.5A,SingleP??hannel,DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTDV20P06L	文件：298.27 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-15.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=150mΩ(Max)@VGS=-5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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更多ME20P06P供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-11 11:00:00

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