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MSAEZ50N10A	文件：48.38 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Features ?Ultrafastrectifierinparallelwiththebodydiode(MSAEtypeonly) ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?IncreasedUnclampedInductiveSwitching(UIS)capability ?Hermeticallysealed,surfacemountpowerpackage ?Lowpackageinductance ?Verylowthermalresistance ?Rev	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MSAFZ50N10A	文件：48.38 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Features ?Ultrafastrectifierinparallelwiththebodydiode(MSAEtypeonly) ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?IncreasedUnclampedInductiveSwitching(UIS)capability ?Hermeticallysealed,surfacemountpowerpackage ?Lowpackageinductance ?Verylowthermalresistance ?Rev	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MSD50N10	文件：271.03 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
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PJD50N10	文件：378.86 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
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SSD50N10	文件：987.21 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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STW50N10	文件：94.57 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.027? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCURREN	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
SW50N10	文件：746.9 Kbytes Page：5 Pages	N-channelTO-220MOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
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更多ME50N10供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-15 14:30:00

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