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MEM13003TZ

MicrOneNajing Micro One Electronics Inc.

南京微盟南京微盟電子有限公司

PDF上傳者：深圳市溢航科技有限公司

MJD13003

NPNSILICONPLASTICPOWERTRANSISTOR

CDIL

Continental Device India Limited

MJD13003

HighVoltageSwitchingDiode

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MJD13003

iscSiliconNPNPowerTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MJD13003

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=400V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.0V(Max)@IC=1A APPLICATIONS ·Designedforuseinhigh-voltage,high-speed,powerswitching ininductivecircuit,theyareparticularlysuitedfor 115and220Vswitc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MJE13003

TRIPLEDIFFUSEDNPNTRANSISTOR

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

MJE13003

NPNEPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS

SuitableforSwitchingRegulators,Inverters,MotorControlSolenoid/RelayDriversandDeflectionCircuits

CDIL

Continental Device India Limited

MJE13003

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Highvoltage,highspeed APPLICATIONS ·Particularlysuitedfor115Vand220Vswitchmodeapplicationssuchasswitchingregulators,inverters,motorcontrols,solenoid/relaydriversanddeflectioncircuits

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MJE13003

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Highvoltage,highspeed APPLICATIONS ·Particularlysuitedfor115Vand220Vswitchmodeapplicationssuchasswitchingregulators,inverters,motorcontrols,solenoid/relaydriversanddeflectioncircuits

SAVANTIC

Savantic, Inc.

MJE13003

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

DESCRIPTION Thesedevicesaredesignedforhigh-voltage,high-speedpowerswitchinginductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedfor115and220Vapplicationsinswitchmode. FEATURES *ReversebiasedSOAwithinductiveload@TC=100°C *Inductiveswitchingmatr

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

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微盟
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更多MEM13003TG供應(yīng)商 更新時間2025-2-9 10:48:00

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