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MF1011B900中文資料飛利浦數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MF1011B900
廠商型號

MF1011B900

功能描述

Microwave power transistor

文件大小

88.85 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-3 17:46:00

MF1011B900規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SOT448A glued cap metal ceramic flange package, with base connected to flange.

FEATURES

? Suitable for short and medium pulse applications up to 100 μs pulse width, duty factor 10

? Diffused emitter ballasting resistors improve ruggedness

? Interdigitated emitter-base structure provides high emitter efficiency

? Gold metallization with barrier realizes very stable characteristics and excellent lifetime

? Multicell geometry improves power sharing and reduces thermal resistance

? Internal input and output prematching networks allow an easier design of circuits.

APPLICATIONS

Intended for use in common base class C broadband pulsed power amplifiers for IFF, TCAS and Mode S applications in the 1030 MHz to 1090 MHz band. Also suitable for medium pulse, heavy duty operation within this band.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MF1011B900

  • 制造商:

    PHILIPS

  • 制造商全稱:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    Microwave power transistor

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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