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MGC15N35CL中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

MGC15N35CL
廠商型號(hào)

MGC15N35CL

功能描述

Internally Clamped N-Channel IGBT

文件大小

99.99 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊(cè)到原廠下載

更新時(shí)間

2024-11-15 19:00:00

MGC15N35CL規(guī)格書(shū)詳情

Internally Clamped N-Channel IGBT

This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over–Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required.

? Gate–Emitter ESD Protection

? Temperature Compensated Gate–Collector Voltage Clamp Limits Stress Applied to Load

? Integrated ESD Diode Protection

? Low Threshold Voltage to Interface Power Loads to Logic or Microprocessor Devices

? Low Saturation Voltage

? High Pulsed Current Capability

? Optional Gate Resistor (RG)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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