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MGF0905A	文件：316.82 Kbytes Page：4 Pages	L,S BAND POWER GaAs FET? DESCRIPTION TheMGF0905A,GaAsFETwithanN-channelschottkygate,isdesignedforuseinUHFbandamplifiers. FEATURES Highoutputpower Po=34.0dBm(TYP.)@f=1.65GHz,Pin=26dBm Highpowergain Gp=8.0dB(TYP.)@f=1.65GHz,Pin=26dBm Highpoweraddedefficiency P.A.E=4	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱電機三菱電機株式會社	Mitsubishi
MGF0905A	文件：116.06 Kbytes Page：3 Pages	L,S BAND POWER GaAs FET? DESCRIPTION TheMGF0905A,GaAsFETwithanN-channelschottkygate,isdesignedforuseinUHFbandamplifiers. FEATURES ?Highoutputpower Po=34.0dBm(TYP.)@f=1.65GHz,Pin=26dBm ?Highpowergain Gp=8.0dB(TYP.)@f=1.65GHz,Pin=26dBm ?Highpoweraddedefficiency P.A.E=40(TYP.)	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱電機三菱電機株式會社	Mitsubishi
MGF0905A	文件：157.19 Kbytes Page：4 Pages	High-power GaAs FET (small signal gain stage)	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱電機三菱電機株式會社	Mitsubishi
MGF0905A_1	文件：316.82 Kbytes Page：4 Pages	L,S BAND POWER GaAs FET? DESCRIPTION TheMGF0905A,GaAsFETwithanN-channelschottkygate,isdesignedforuseinUHFbandamplifiers. FEATURES Highoutputpower Po=34.0dBm(TYP.)@f=1.65GHz,Pin=26dBm Highpowergain Gp=8.0dB(TYP.)@f=1.65GHz,Pin=26dBm Highpoweraddedefficiency P.A.E=4	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱電機三菱電機株式會社	Mitsubishi
MGF0905A_11	文件：157.19 Kbytes Page：4 Pages	High-power GaAs FET (small signal gain stage)	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱電機三菱電機株式會社	Mitsubishi
P0905	文件：103.98 Kbytes Page：1 Pages	POTTYPECORES	YUXIANG YUXIANG Magnetc materials Ind. Co., Ltd.	YUXIANG
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詳細參數(shù)

型號：
MGF0905A
制造商：
MITSUBISHI
制造商全稱：
Mitsubishi Electric Semiconductor
功能描述：
L,S BAND POWER GaAs FET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市旺財半導(dǎo)體有限公司	MGF0905A	MITSUBISHI/三菱	23+		1688	房間現(xiàn)貨庫存:QQ:373621633	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	MGF0905A		24+		2000	本站現(xiàn)庫存	詢價
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更多MGF0905A供應(yīng)商更新時間2025-1-11 10:30:00

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