MGF1601B中文資料三菱電機(jī)數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
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High-power GaAs FET (small signal gain stage)
S to X BAND / 0.15W non - matched
DESCRIPTION
The MGF1601B, medium-power GaAs FET with an N-channel Schottky gate, is designed for use in S to X band amplifiers and oscillators. The hermetically sealed metalceramic package assures minimum parasitic lasses, and has a configuration suitable for microstrip circuits.
FEATURES
High linear power gain
Glp=8.0dB @f=8GHz
High P1dB
P1dB=21.8dBm(TYP.) @f=8GHz
APPLICATION
?S to X Band medium-power amplifiers and oscillators
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
MGF1601B
- 制造商：
MITSUBISHI
- 制造商全稱(chēng)：
Mitsubishi Electric Semiconductor
- 功能描述：
High-power GaAs FET(small signal gain stage)
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MITSUBISHI |
23+ |
NA |
25060 |
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SMD |
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MIT |
23+ |
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MITSUBIS |
22+ |
GD-10 |
3000 |
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MITSUBISHI |
GD-10 |
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