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MGFL45V1920中文資料三菱電機(jī)數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MGFL45V1920
廠商型號

MGFL45V1920

功能描述

1.9-2.0GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHD GaAs FET

文件大小

301.75 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Mitsubishi Electric Semiconductor
企業(yè)簡稱

Mitsubishi三菱電機(jī)

中文名稱

三菱電機(jī)株式會(huì)社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-28 20:00:00

MGFL45V1920規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The MGFL45V1920 is an internally impedance-matched GaAs power FET especially designed for use in 1.9 - 2.0 GHz band amplifiers.The hermetically sealed metal-ceramic package guarantees high reliability.

FEATURES (TARGET)

Class A operation

Internally matched to 50(ohm) system

High output power

P1dB = 32W (TYP.) @ f=1.9 - 2.0 GHz

High power gain

GLP = 13 dB (TYP.) @ f=1.9 - 2.0GHz

High power added efficiency

P.A.E. = 45 (TYP.) @ f=1.9 - 2.0GHz

Low distortion [item -51]

IM3=-45dBc(TYP.) @Po=34.5dBm S.C.L.

APPLICATION

item 01 : 1.9 - 2.0 GHz band power amplifier

item 51 : 1.9 - 2.0 GHz band digital radio communication

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MGFL45V1920

  • 制造商:

    MITSUBISHI

  • 制造商全稱:

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述:

    1.9-2.0GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHD GaAs FET

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
MITSUBISHI
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SMD
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MITSUBISHI
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MITSUBISHI
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