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MGP7N60E中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

MGP7N60E
廠商型號(hào)

MGP7N60E

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor

文件大小

118.14 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-13 17:46:00

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MGP7N60E規(guī)格書(shū)詳情

This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage–blocking capability. Its new 600 V IGBT technology is specifically suited for applications requiring both a high temperature short circuit capability and a low VCE(on). It also provides fast switching characteristics and results in efficient operation at high frequencies. This new E–series introduces an energy efficient, ESD protected, and short circuit rugged device.

? Industry Standard TO–220 Package

? High Speed: Eoff = 70 μJ/A typical at 125°C

? High Voltage Short Circuit Capability – 10 s minimum at 125°C, 400 V

? Low On–Voltage 2.0 V typical at 5.0 A, 125°C

? Robust High Voltage Termination

? ESD Protection Gate–Emitter Zener Diodes

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    MGP7N60E

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

  • 制造商:

    ONS

  • 功能描述:

    ON SEMICONDUCTOR NXA5C

  • 制造商:

    ON Semiconductor

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
2017+
SMD
6528
只做原裝正品假一賠十!
詢價(jià)
ON/安森美
23+
TO
13000
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
詢價(jià)
TE
ROHS
13352
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
詢價(jià)
TE/泰科
2452+
/
473077
一級(jí)代理,原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
SMCCorporation
5
全新原裝 貨期兩周
詢價(jià)
ON
24+
90000
詢價(jià)
ON/安森美
22+
TO
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
詢價(jià)
ON/安森美
23+
TO
6000
原裝正品,支持實(shí)單
詢價(jià)
ON
24+
TO
12300
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
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ON/安森美
22+
TO
6000
十年配單,只做原裝
詢價(jià)