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MGY25N120中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MGY25N120
廠商型號

MGY25N120

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor

文件大小

153.58 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-13 22:58:00

MGY25N120規(guī)格書詳情

This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage blocking capability. Short circuit rated IGBT’s are specifically suited for applications requiring a guaranteed short circuit withstand time. Fast switching characteristics result in efficient operation at high frequencies.

? Industry Standard High Power TO–264 Package (TO–3PBL)

? High Speed Eoff: 216 J/A typical at 125°C

? High Short Circuit Capability – 10 s minimum

? Robust High Voltage Termination

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MGY25N120

  • 制造商:

    Motorola Inc

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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