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MMBT2369	文件：198.06 Kbytes Page：6 Pages	NPNSwitchingTransistor NPNSwitchingTransistor Thisdeviceisdesignedforhighspeedsaturationswitchingatcollectorcurrentsof10mAto100mA.SourcedfromProcess21.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MMBT2369	文件：155.55 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Useasamediumpoweramplifier.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
MMBT2369	文件：98.98 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors ?Powerdissipation250mW ?PlasticcaseSOT-23(TO-236) ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingta	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
MMBT2369	文件：182.8 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconSwitchingTransistor NPNSiliconSwitchingTransistor	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBT2369	文件：144.84 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Epitaxialplanardieconstruction. Ultra-smallsurfacemountpackage.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
MMBT2369	文件：65.69 Kbytes Page：1 Pages	Epitaxialplanardieconstruction. FEATURES Epitaxialplanardieconstruction. Idealformediumpoweramplificationandswitching.	MAKOSEMIMAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 美科半導(dǎo)體美科半導(dǎo)體股份（香港）有限公司	MAKOSEMI
MMBT2369	文件：145.87 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
MMBT2369	文件：1.04553 Mbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Useasamediumpoweramplifier.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
MMBT2369(A)LT1	文件：386.11 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingTransistors	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威倫威倫電子股份有限公司	WILLAS
MMBT2369A	文件：182.8 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconSwitchingTransistor NPNSiliconSwitchingTransistor	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBT2369A	文件：165.61 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Useasamediumpoweramplifier.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
MMBT2369A	文件：98.98 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors ?Powerdissipation250mW ?PlasticcaseSOT-23(TO-236) ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingta	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
MMBT2369A	文件：167.88 Kbytes Page：4 Pages	NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE15VoltsPOWER225mWatts FEATURES ?NPNepitaxialsilicon,planardesign ?Collector-emittervoltageVCE=15V ?CollectorcurrentIC=200mA ?IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives MECHANICALDATA ?Case:SOT-23,Plastic ?Terminals:SolderableperMIL-STD-750,Method	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
MMBT2369A	文件：520.409 Kbytes Page：14 Pages	NPNSwitchingTransistor NPNSwitchingTransistor Thisdeviceisdesignedforhighspeedsaturationswitchingatcollectorcurrentsof10mAto100mA.SourcedfromProcess21.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MMBT2369A	文件：198.06 Kbytes Page：6 Pages	NPNSwitchingTransistor NPNSwitchingTransistor Thisdeviceisdesignedforhighspeedsaturationswitchingatcollectorcurrentsof10mAto100mA.SourcedfromProcess21.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MMBT2369A	文件：146.66 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
MMBT2369A	文件：1.04915 Mbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Useasamediumpoweramplifier.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
MMBT2369AL	文件：94.17 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingTransistors SwitchingTransistors NPNSilicon Features ?SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant*	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MMBT2369-G	文件：51.49 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORS Features -Powerdissipation PC=0.3W	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
MMBT2369L	文件：215.83 Kbytes Page：8 Pages	SwitcingTransistors SwitchingTransistors NPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
MHQ2369HX
制造商：
CRYSTALONICS OF NEW YORK
制造商：
CRYSTL

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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