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MHT1000H	文件：653.8 Kbytes Page：10 Pages	RF Power LDMOS Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
MHT1000HR5	文件：653.8 Kbytes Page：10 Pages	RF Power LDMOS Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
MHT1000HR5	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：SOT-957A 類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻放大器描述：IC RF AMP 2.45GHZ NI-880H-2L	NXP USA Inc. NXP USA Inc.	NXP USA Inc.
MI1000ERU	文件：1.00342 Mbytes Page：4 Pages	Wide4:1Input,10WMiniature1x1DC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
MI1000RW	文件：357.7 Kbytes Page：3 Pages	Compact,1x1Inch10W,2:1InputRangeDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
MIHW1000	文件：181.46 Kbytes Page：8 Pages	3W,WideInputRangeDIP,Single&DualOutputDC/DCConverters	MINMAXMinmax Technology Co., Ltd. 捷拓科技臺(tái)灣捷拓科技股份有限公司	MINMAX
MIHW1000	文件：405.32 Kbytes Page：4 Pages	ReinforcedInsulationratedfor300VACWorkingVoltage	TOTAL-POWER Total Power International	TOTAL-POWER
MIP-1000	文件：520.08 Kbytes Page：2 Pages	MIPIinterfaceLCDcontrollerboard KeyFeatures: ??Upto2160x3840input/Upto2160x3840LCDpanels ??HDMI1.4 ??MIPIDSIpanelconnection ??Custompanelmatching*	DIGITALVIEW Digital View Ltd	DIGITALVIEW
MIW1000	文件：162.13 Kbytes Page：4 Pages	MIW1000SERIES2-3WATTINPUTRANGEDC/DCCONVERTERSSINGLEANDDUALOUTPUT	TOTAL-POWER Total Power International	TOTAL-POWER
MIW1000	文件：238.26 Kbytes Page：8 Pages	2-3W,WideInputRangeDIP,Single&DualOutputDC/DCConverters	MINMAXMinmax Technology Co., Ltd. 捷拓科技臺(tái)灣捷拓科技股份有限公司	MINMAX
MJ1000	文件：139.27 Kbytes Page：4 Pages	Medium-PowerComplementarySiliconTransistors Medium-PowerComplementarySiliconTransistors ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. ?HighDCCurrentGain—hFE=6000(Typ)@IC=3.0Adc ?MonolithicConstructionwithBuilt–inBase–EmitterShuntResistors	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MJ1000	文件：54.14 Kbytes Page：1 Pages	PowerTransistors PowerTransistors TO-3Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體	Central
MJ1000	文件：175.78 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYPOWERDARLINGTONS TheMJ900,MJ901,MJ1000andMJ1001aresiliconepitaxial-bastransistorsinmonolithic Darlingtonconfiguration,andaremountedinJEDECTO-3metalcase. Theyareintendedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. TheircomplementaryNPNtypesaretheMJ1000andMJ1001respectively.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
MJ1000	文件：118.78 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·DARLINGTON ·HighDCcurrentgain ·ComplementtotypeMJ900/901 APPLICATIONS ·Foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJ1000	文件：74.35 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=60V(Min.) ·HighDCCurrentGain- :hFE=1000(Min.)@IC=3A ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=2.0V(Max.)@IC=3A APPLICATIONS ·Designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpu	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MJ1000	文件：120.39 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJ1000	文件：78.25 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARYPOWERDARLINGTONS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
MJ1000	文件：115.12 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYPOWERDARLINGTONS TheMJ900,MJ901,MJ1000andMJ1001aresiliconepitaxial-bastransistorsinmonolithicDarlingtonconfiguration,andaremountedinJEDECTO-3metalcase.Theyareintendedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. PNPtypesaretheMJ900andMJ901,andtheircomplementaryNPNtypes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MKS-PAC-1000	文件：481.81 Kbytes Page：4 Pages	AComprehensiveControlsSolution	MKS MKS Instruments.	MKS
MKW1000	文件：263.99 Kbytes Page：8 Pages	10Watts2:1WideInputRangeDC/DCConvertersSingleandDualOutputs	TOTAL-POWER Total Power International	TOTAL-POWER

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更多MHT1000H供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-11 9:44:00

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