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MJD200	文件：236.97 Kbytes Page：6 Pages	SILICONPOWERTRANSISTORS5AMPERES25VOLTS12.5WATTS SILICONPOWERTRANSISTORS5AMPERES25VOLTS12.5WATTS MJD200NPN MJD210PNP NPN/PNPSiliconDPAKForSurfaceMountApplications ...designedforlowvoltage,low–power,high–gainaudioamplifierapplications. ?Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)=25Vdc(Min)@IC=10mAdc	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MJD200	文件：236.97 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors ComplementaryPlasticPowerTransistors NPN/PNPSiliconDPAKForSurfaceMountApplications Designedforlowvoltage,low?power,high?gainaudioamplifierapplications. Features ?Collector?EmitterSustainingVoltage?VCEO(sus)=25Vdc(Min)@IC=10mAdc ?HighDCCurrentGain?hFE	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD200	文件：45.78 Kbytes Page：5 Pages	D-PAKforSurfaceMountApplications D-PAKforSurfaceMountApplications ?HighDCCurrentGain ?Built-inaDamperDiodeatE-C ?LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) ?StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MJD200	文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD200	文件：138.05 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD200	文件：152.01 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD200	文件：302.22 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=25V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.3V(Max)@IC=0.5A APPLICATIONS ·Designedforuseingeneralpurposeampliferandlow Speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MJD200G	文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD200G	文件：138.05 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD200G	文件：152.01 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD200RL	文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD200RLG	文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD200RLG	文件：138.05 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJD200RLG	文件：152.01 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJE200	文件：255.72 Kbytes Page：6 Pages	5AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON25VOLTS15WATTS ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors ...designedforlowvoltage,low–power,high–gainaudioamplifierapplications. ?Collector–EmitterSustainingVoltage— VCEO(sus)=25Vdc(Min)@IC=10mAdc ?HighDCCurrentGain—hFE=70(Min)@IC=500mAdc High	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MJE200	文件：255.72 Kbytes Page：6 Pages	POWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors Thesedevicesaredesignedforlowvoltage,low-power,high-gainaudioamplifierapplications. Features ?Collector-EmitterSustainingVoltage-VCEO(sus)=25Vdc(Min)@IC=10mAdc ?HighDCCurrentGain-hFE=70(Min)@IC=500mAdc	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJE200	文件：42.12 Kbytes Page：4 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Feature ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?HighCurrentGainBandwidthProduct:fT=65MHz@IC=100mA(Min.) ?ComplementtoMJE210	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MJE200	文件：242.53 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ?LowCollector–EmitterSaturationVoltage- ?DCCurrentGain-BandwidthProduct ?HighDCCurrentGain ?ComplementtoMJE210 APPLICATIONS ?Designedforlowvoltage,low-power,high-gainaudioamplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MJE200	文件：120.99 Kbytes Page：6 Pages	ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJE200	文件：339.37 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMJE200,MJE210typesarecomplementarysilicontransistorsdesignedforhighgainamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
MI-P200-IXZ
制造商：
VICOR
制造商全稱：
Vicor Corporation
功能描述：
Military Chassis Mount DC-DC Converters 10 to 300W Single, Dual, Triple Outputs

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳兆威電子有限公司	MIP20121R0MBE	INPAQ	23+	SMD	311	原裝正品--可開增值稅發(fā)票量大可訂貨	詢價(jià)
深圳市粵駿騰電子科技有限公司	MIP20121R0MBE	INPAQ/佳邦	24+	SMD	1200	全新原裝數(shù)量均有多電話咨詢	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	MIP20121R0MBE	INPAQ	20+	SMD	56200	原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票	詢價(jià)
中科航電（深圳）電子集團(tuán)有限公司	MIP20121R0MBE	INPAQ/佳邦		N/A	90000	公司集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-	詢價(jià)
深圳市華來深電子有限公司	MIP20121R0MBE	INPAQ	23+	SMD	8650	受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣!	詢價(jià)
深圳市明嘉萊科技有限公司	MIP20121R0MBE	INPAQ/佳邦	17+PBF	SMD	880000	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市匯萊威科技有限公司	MIP20121R0MBE	INPAQ/佳邦	24+	SMD	68900	一站配齊原盒原包現(xiàn)貨朱S Q2355605126	詢價(jià)
深圳市辰德隆電子科技有限公司	MIP20121R0MBE半導(dǎo)體材料	INPAQ/佳邦	23+	SMD	6000	BOM配單--可開發(fā)票16%一回收工廠庫存	詢價(jià)
深圳市凌旭科技有限公司	MIP20122R2MBE	INPAQ	2016+	SMD	6000	只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!	詢價(jià)
深圳市亞泰盈科電子有限公司	MIP20122R2MBE	inpaq		0805	999999	提供BOM表配單只做原裝貨值得信賴	詢價(jià)

更多MI-P200-IXZ供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-1 13:00:00

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