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MIW30N65FLA-BP分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

MIW30N65FLA-BP
廠商型號(hào)

MIW30N65FLA-BP

參數(shù)屬性

MIW30N65FLA-BP 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 650V 30A,TO-247AB

功能描述

Trench and Field Stop IGBT 650V 30A
IGBT 650V 30A,TO-247AB

文件大小

1.01159 Mbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Micro Commercial Components
企業(yè)簡稱

MCC美微科

中文名稱

美微科半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-6 10:40:00

MIW30N65FLA-BP規(guī)格書詳情

Features

? High Speed Smooth Switching Device for Hard and Soft Switching

? Vce(sat) with Positive Temperature Coefficient

? High Ruggedness, Good Thermal Stability

? Very Tight Parameter Distribution

? Halogen Free. “Green” Device (Note 1)

? Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating

? Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix Designates RoHS

Compliant. See Ordering Information)

MIW30N65FLA-BP屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。美微科半導(dǎo)體股份有限公司制造生產(chǎn)的MIW30N65FLA-BP晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MIW30N65FLA-BP

  • 制造商:

    Micro Commercial Co

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,30A

  • 開關(guān)能量:

    920μJ(開),450μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    40ns/120ns

  • 測試條件:

    300V,30A,33 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AB

  • 描述:

    IGBT 650V 30A,TO-247AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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