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MIXA61H1200ED分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

MIXA61H1200ED
廠商型號

MIXA61H1200ED

參數(shù)屬性

MIXA61H1200ED 封裝/外殼為E2;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MODULE 1200V 85A 290W E2

功能描述

IGBT XPT Module
IGBT MODULE 1200V 85A 290W E2

封裝外殼

E2

文件大小

418.77 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-17 17:17:00

MIXA61H1200ED規(guī)格書詳情

MIXA61H1200ED屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的MIXA61H1200ED晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件,主要用作電子開關,兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MIXA61H1200ED

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤

  • IGBT 類型:

    PT

  • 配置:

    全橋反相器

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,55A

  • 輸入:

    標準

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    E2

  • 供應商器件封裝:

    E2

  • 描述:

    IGBT MODULE 1200V 85A 290W E2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
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23+
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IXYS全系列在售
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IXYS/艾賽斯
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主打模塊,大量現(xiàn)貨供應商QQ2355605126
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