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MJ11012G分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJ11012G
廠商型號

MJ11012G
參數屬性

MJ11012G 封裝/外殼為TO-204AA，TO-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS NPN DARL 60V 30A TO204
功能描述

High-Current Complementary Silicon Transistors
TRANS NPN DARL 60V 30A TO204
封裝外殼

TO-204AA，TO-3
文件大小

121.43 Kbytes
頁面數量

4 頁
生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-3-9 16:38:00
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MJ11012G規(guī)格書詳情

MJ11012G屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由安森美半導體公司制造生產的MJ11012G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。

產品屬性

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  • 產品編號：

    MJ11012G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    4V @ 300mA，30A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    1mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    1000 @ 20A，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    4MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-204AA，TO-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-204（TO-3）

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 60V 30A TO204

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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