| 零件編號 | 下載&訂購 | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
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MJ11030 | POWER TRANSISTOR(50A,60-120V,300W) COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ...designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. ?HighGainDarlingtonPerformance ?HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=25A hFE=400(Mi | MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導體股份有限公司 | MOSPEC | |
MJ11030 | 50 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 60.120 VOLTS 300 WATTS High-CurrentComplementarySiliconTransistor ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. ?HighDCCurrentGain—hFE=1000(Min)@IC=25Adc hFE=400(Min)@IC=50Adc ?Curvesto100A(Pulsed) ? | MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司 | Motorola | |
MJ11030 | COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS High?CurrentComplementarySiliconPowerTransistorsareforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. Features ?HighDCCurrentGain?hFE=1000(Min)@IC=25Adc hFE=400(Min)@IC=50Adc ?Curvesto100A | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI | |
MJ11030 | COMPLEMENTARY DARLINGTON POWER TRANSISTOR FEATURES ?HIGHDCCURRENTGAIN HFE=1000Min@IC=25A HFE=400Min0@IC=50A ?CURVESTO100A(Pulsed) ?DIODEPROTECTIONTORATEDIC ?MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILT-INBASE–EMITTERSHUNTRESISTOR ?JUNCTIONTEMPERATURETO+200°C APPLICATIONS Foruseasoutputde | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | |
MJ11030 | High-Current Complementary Silicon Power Transistors High-CurrentComplementarySiliconPowerTransistorsareforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. Features ?HighDCCurrentGain-hFE=1000(Min)@Ic=25Adc hFE=400(Min)@Ic=50Adc ?Curvesto100A(P | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
MJ11030 | High??urrent Complementary Silicon Power Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI | |
MJ11030 | isc Silicon NPN Darlington Power Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC | |
MJ11030 | High-Current Complementary Silicon Power Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI | |
MJ11030 | 包裝：托盤 封裝/外殼：TO-204AE 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN DARL 90V 50A TO204 | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI | |
High??urrent Complementary Silicon Power Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI | ||
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包裝：托盤 封裝/外殼：TO-204AE 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN DARL 90V 50A TO204 | ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司 | ONSEMI |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性質：
開關管 （S）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
90V
- 最大電流允許值：
50A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號：
- 最大耗散功率：
300W
- 放大倍數(shù)：
β>1000
- 圖片代號：
E-44
- vtest：
90
- htest：
999900
- atest：
50
- wtest：
300
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MJ11030
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
NPN - 達林頓
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
3.5V @ 500mA，50A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
2mA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 25A，5V
- 工作溫度：
-55°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-204AE
- 供應商器件封裝：
TO-204（TO-3）
- 描述：
TRANS NPN DARL 90V 50A TO204
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOTOROLA/摩托羅拉 |
23+ |
1688 |
房間現(xiàn)貨庫存:QQ:373621633 |
詢價 | |||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
19+ |
MODULE |
1290 |
主打模塊,大量現(xiàn)貨供應商QQ2355605126 |
詢價 | ||
MOT |
24+ |
N/A |
2540 |
詢價 | |||
東芝 |
100 |
原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)惠 |
詢價 | ||||
MOT/ON |
24+ |
TO-3 |
500 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
MOT |
23+ |
TO-3 |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
ISC |
23+ |
NA |
19960 |
只做進口原裝,終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
MOT/ON |
1822+ |
TO-3 |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險!! |
詢價 | ||
ON/安森美 |
專業(yè)鐵帽 |
TO-3 |
500 |
原裝鐵帽專營,代理渠道量大可訂貨 |
詢價 | ||
三年內 |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 |
