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MJ14001G分立半導體產品晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJ14001G
廠商型號

MJ14001G

參數屬性

MJ14001G 封裝/外殼為TO-204AE;包裝為托盤;類別為分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個;產品描述:TRANS PNP 60V 60A TO204

功能描述

High??urrent Complementary Silicon Power Transistors
TRANS PNP 60V 60A TO204

文件大小

96.22 Kbytes

頁面數量

5

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2024-10-28 9:08:00

MJ14001G規(guī)格書詳情

MJ14001G屬于分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個。安森美半導體公司制造生產的MJ14001G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    MJ14001G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    3V @ 12A,60A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 50A,3V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-204AE

  • 供應商器件封裝:

    TO-204(TO-3)

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 60A TO204

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