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MJ14003	文件：241.69 Kbytes Page：6 Pages	60 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS 60-80 VOLTS 300 WATTS High-CurrentComplementarySiliconPowerTransistors ...designedforuseinhigh–poweramplifierandswitchingcircuitapplications, ?HighCurrentCapability—ICContinuous=60Amperes ?DCCurrentGain—hFE=15–100@IC=50Adc ?LowCollector–EmitterSaturationVoltage—	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MJ14003	文件：241.69 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS Designedforuseinhigh?poweramplifierandswitchingcircuitapplications. Features ?HighCurrentCapability?ICContinuous=60Amperes ?DCCurrentGain?hFE=15?100@IC=50Adc ?LowCollector?EmitterSaturationVoltage?VCE(sat)=2.5Vdc(Max) @IC=50Adc ?Pb?FreePa	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MJ14003	文件：96.22 Kbytes Page：5 Pages	High??urrent Complementary Silicon Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MJ14003	文件：291.18 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MJ14003	文件：121.94 Kbytes Page：2 Pages	High-Current Complementary Silicon Power Transistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MJ14003G	文件：96.22 Kbytes Page：5 Pages	High??urrent Complementary Silicon Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
L-14003	文件：58.45 Kbytes Page：2 Pages	CommonModeInductors	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
LBN14003	文件：34.58 Kbytes Page：1 Pages	SAWFilterElectricalCharacteristic	SIPATSIPAT Co,Ltd 勝普電子重慶勝普電子有限公司	SIPAT
LBN14003	文件：39.79 Kbytes Page：1 Pages	SAWFilterElectricalCharacteristic	SIPATSIPAT Co,Ltd 勝普電子重慶勝普電子有限公司	SIPAT
LFD14003Z	文件：1.34218 Mbytes Page：8 Pages	DistributionBlocks??SplicerBlocks??Covers	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
LMR14003	文件：1.17113 Mbytes Page：20 Pages	SIMPLESWITCHER40V300/600mABuckRegulatorswithHighEfficiencySleepMode	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
LMR14003XDDCR	文件：1.17113 Mbytes Page：20 Pages	SIMPLESWITCHER40V300/600mABuckRegulatorswithHighEfficiencySleepMode	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
LMR14003XDDCT	文件：1.17113 Mbytes Page：20 Pages	SIMPLESWITCHER40V300/600mABuckRegulatorswithHighEfficiencySleepMode	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
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LMR14003YDDCT	文件：1.17113 Mbytes Page：20 Pages	SIMPLESWITCHER40V300/600mABuckRegulatorswithHighEfficiencySleepMode	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
LMR14003YQDDCR	文件：1.17113 Mbytes Page：20 Pages	SIMPLESWITCHER40V300/600mABuckRegulatorswithHighEfficiencySleepMode	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
LMR14003YQDDCT	文件：1.17113 Mbytes Page：20 Pages	SIMPLESWITCHER40V300/600mABuckRegulatorswithHighEfficiencySleepMode	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
LTCEC-14003-B	文件：175.52 Kbytes Page：6 Pages	PowerTransducerSeriesLT-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 愛模愛模系統(tǒng)有限公司	MSYSTEM
LTCEC-14003-B/Q	文件：175.52 Kbytes Page：6 Pages	PowerTransducerSeriesLT-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 愛模愛模系統(tǒng)有限公司	MSYSTEM
LTCEC-14003-C	文件：175.52 Kbytes Page：6 Pages	PowerTransducerSeriesLT-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 愛模愛模系統(tǒng)有限公司	MSYSTEM

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詳細參數(shù)

型號：
MJ14003
功能描述：
兩極晶體管 - BJT 60A 80V 300W PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多MJ14003供應(yīng)商更新時間2025-1-13 15:30:00

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