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MJ15012G

Complementary Silicon Power Transistors

MJ15011(NPN, MJ15012(PNP) 10AMPERECOMPLEMENTARYPOWERTRANSISTORS250VOLTS200WATTS TheMJ15011andMJ15012arePowerBasepowertransistorsdesignedforhigh?poweraudio,diskheadpositioners,andotherlinearapplications.Thesedevicescanalsobeusedinpowerswitchingcircui

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MTP15012

Three-PhaseBridgeRectifier

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司

MTP15012D

Three-PhaseBridgeRectifier

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司

MTP15012I

GlassPassivatedThree-PhaseBridgeRectifier

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司

MTPT15012

Three-PhaseBridgeThyristor,

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司

NTE15012

IntegratedCircuitTVFixedVoltageRegulator

Features: ●TripleDiffusedDarlingtonTransistorChipsIncorporated ●CompactPlasticPackagewithIndistryStandardReliability ●OutputVoltageisPre–Fixed–NoExternalAdjustmentisRequired

NTE

NTE Electronics

PAH15012

150AAvg1200~1600Volts

NIEC

Nihon Inter Electronics Corporation

PAH15012

THYRISTORMODULE

NIEC

Nihon Inter Electronics Corporation

PAT15012

THYRISTORMODULE

NIEC

Nihon Inter Electronics Corporation

PAT15012

150AAvg1200~1600Volts

NIEC

Nihon Inter Electronics Corporation

詳細參數(shù)

  • 型號:

    MJ15012G

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT 10A 250V 200W PNP

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MJ15012G供應(yīng)商 更新時間2025-1-24 14:57:00