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MJD112分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJD112
廠商型號

MJD112

參數(shù)屬性

MJD112 封裝/外殼為TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

功能描述

TRANSISTOR (NPN)

封裝外殼

TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

文件大小

1.54779 Mbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
企業(yè)簡稱

JIANGSU長電科技

中文名稱

江蘇長電科技股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-20 23:09:00

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晶體管資料

  • 型號:

    MJD112

  • 別名:

    MJD112三極管、MJD112晶體管、MJD112晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Darl

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

  • 最大電流允許值:

    2A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

    20W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    G-217

  • vtest:

    0

  • htest:

    999900

  • atest:

    2

  • wtest:

    20

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MJD112-1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    3V @ 40mA,4A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    20μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 2A,3V

  • 頻率 - 躍遷:

    25MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

  • 供應商器件封裝:

    I-PAK

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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