首頁>MJD112G>詳情

MJD112G 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 ONSEMI/安森美半導體

MJD112G參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：MJD112G品牌：ON/安森美

二十余載金牌老企,研究所優(yōu)秀合供單位,您的原廠窗口

MJD112G是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個。制造商ON/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝TO-252-3/TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的MJD112G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。

  • 芯片型號：

    MJD112G

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導體公司

  • 內容頁數(shù)：

    8 頁

  • 文件大?。?/span>

    144.73 kb

  • 資料說明：

    Complementary Darlington Power Transistors

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MJD112G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    3V @ 40mA，4A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    20μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    1000 @ 2A，3V

  • 頻率 - 躍遷：

    25MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市硅宇電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李經(jīng)理

  • 手機：

    19270241702

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-23483584

  • 傳真：

    0755-82724276

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福虹路9號世貿廣場A座1503室

相近型號