MJD112G 分立半導體產品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 ONSEMI/安森美半導體

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廠家型號：
MJD112G
產品分類：
芯片
生產廠商：
ONSEMI
庫存數量：
150
產品封裝：
N/A
生產批號：
兩年內
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-1-16 10:09:00

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詳細信息
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原廠料號：MJD112G品牌：ONSEMI

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MJD112G是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個。制造商ONSEMI/onsemi生產封裝N/A/TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的MJD112G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。

芯片型號：
MJD112G
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
ONSEMI【安森美半導體】詳情
廠商全稱：
ON Semiconductor
中文名稱：
安森美半導體公司
內容頁數：
8 頁
文件大小：
144.73 kb
資料說明：
Complementary Darlington Power Transistors

產品屬性

類型
描述
產品編號：
MJD112G
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類型：
NPN - 達林頓
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
3V @ 40mA，4A
電流 - 集電極截止（最大值）：
20μA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 2A，3V
頻率 - 躍遷：
25MHz
工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應商器件封裝：
DPAK
描述：
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

供應商

企業(yè)：
深圳良洲科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯系人：
楊夢琪
手機：
19128244554
詢價：
電話：
0755-21010605
地址：
深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)華強北路1005、1007、1015號華強電子世界2號樓2層22C081

MJD112G 分立半導體產品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 ONSEMI/安森美半導體

MJD112G

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