首頁>MJD112T4G>詳情

MJD112T4G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 NSC/美國國家半導(dǎo)體

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    MJD112T4G

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    NA

  • 庫存數(shù)量：

    26094

  • 產(chǎn)品封裝：

    NA

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-3 15:36:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：MJD112T4G品牌：NA

10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品,做服務(wù)型企業(yè)

  • 芯片型號：

    MJD112T4G

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    8 頁

  • 文件大小：

    147.74 kb

  • 資料說明：

    Complementary Darlington Power Transistors

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MJD112T4G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    剪切帶（CT）帶盒（TB）

  • 晶體管類型：

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    3V @ 40mA，4A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    20μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    1000 @ 2A，3V

  • 頻率 - 躍遷：

    25MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市正納電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊先生/楊小姐

  • 手機：

    15986777949

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-23901175

  • 傳真：

    0755-83200684

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路113號新欣大廈B座318

相近型號