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MJD117-252中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MJD117-252
廠商型號

MJD117-252

功能描述

Silicon PNP Power Transistor

文件大小

281.3 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-20 23:09:00

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MJD117-252規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·High DC current gain

·Lead formed for surface mount applications

·Built-in a damper diode at E-C

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Designed for general purpose amplifier

and low speed switching applications.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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1983
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