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MJD122-TP

Silicon NPN epitaxial planer Transistors

Features ?HighDCCurrentGain ?Built-inaDamperDiodeatE-C ?HalogenFreeAvailableUponRequestByAddingSuffix-HF ?MoistureSensitivityLevel1 ?EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixDesignatesRoHS Compliant.SeeOrderingInfor

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

MJD122-TP

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

MJE122

COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONS

ComplementaryPowerDarlingtons ForIsolatedPackageApplications Designedforgeneral–purposeamplifiersandswitchingapplications,wherethemountingsurfaceofthedeviceisrequiredtobeelectricallyisolatedfromtheheatsinkorchassis. ?ElectricallySimilartothePopularTI

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJF122

COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONS

ComplementaryPowerDarlingtons ForIsolatedPackageApplications Designedforgeneral–purposeamplifiersandswitchingapplications,wherethemountingsurfaceofthedeviceisrequiredtobeelectricallyisolatedfromtheheatsinkorchassis. ?ElectricallySimilartothePopularTIP122andT

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MJF122

COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONS5.0A,100V,30W

ComplementaryPowerDarlingtons ForIsolatedPackageApplications Designedforgeneral?purposeamplifiersandswitchingapplications,wherethemountingsurfaceofthedeviceisrequiredtobeelectricallyisolatedfromtheheatsinkorchassis. Features ?ElectricallySimilartothePopula

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJF122

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ?WithTO-220Fpackage ?DARLINGTON ?HighDCcurrentgain ?Lowcollectorsaturationvoltage ?ComplementtotypeMJF127 APPLICATIONS ?Designedforgeneral–purposeamplifier andswitchingapplications.

SAVANTIC

Savantic, Inc.

MJF122

ComplementaryPowerDarlingtons

Designedforgeneral-purposeamplifiersandswitchingapplications,wherethemountingsurfaceofthedeviceisrequiredtobeelectricallyisolatedfromtheheatsinkorchassis. Features ?ElectricallySimilartothePopularTIP122andTIP127 ?100VCE(sus) ?5.0ARatedCollectorCurrent

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

MJF122

SiliconNPNPowerTransistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

MJF122

ComplementaryPowerDarlingtonsForIsolatedPackageApplications

Designedforgeneral?purposeamplifiersandswitching applications,wherethemountingsurfaceofthedeviceisrequiredto beelectricallyisolatedfromtheheatsinkorchassis. Features ?ElectricallySimilartothePopularTIP122andTIP127 ?100VCEO(sus) ?5.0ARatedCollectorCurrent

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJF122G

COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONS5.0A,100V,30W

ComplementaryPowerDarlingtons ForIsolatedPackageApplications Designedforgeneral?purposeamplifiersandswitchingapplications,wherethemountingsurfaceofthedeviceisrequiredtobeelectricallyisolatedfromtheheatsinkorchassis. Features ?ElectricallySimilartothePopula

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MJD122-TP

  • 制造商：

    Micro Commercial Co

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    4V @ 80mA，8A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    10nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    1000 @ 4A，4V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D-Pak

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
MCC
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TO-252
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原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
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只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
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DIODES/美臺(tái)
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38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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TO-252
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當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
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TO-252
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只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
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一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
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更多MJD122-TP供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-6 16:12:00

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