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MJD122G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) Cmos(廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體)

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  • 廠家型號(hào)：

    MJD122G

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    Cmos(廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體)

  • 庫存數(shù)量：

    1010

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-252

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-21 10:20:00

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原廠料號(hào)：MJD122G品牌：Cmos(廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體)

三極管/MOS管/晶體管 > 達(dá)林頓管

  • 芯片型號(hào)：

    MJD122G

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    7 頁

  • 文件大?。?/span>

    136.31 kb

  • 資料說明：

    Complementary Darlington Power Transistor

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MJD122G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    4V @ 80mA，8A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    10μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    1000 @ 4A，4V

  • 頻率 - 躍遷：

    4MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳中芯器材有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李小姐/文小姐

  • 手機(jī)：

    13600196139

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-8254197 /0755-23903959

  • 傳真：

    0755-83352412

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)101棟西座520

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