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MJD122T4分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJD122T4
廠商型號

MJD122T4

參數(shù)屬性

MJD122T4 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為剪切帶(CT);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS DARL NPN 8A 100V DPAK

功能描述

SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

284.04 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡稱

Motorola摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-10 17:06:00

MJD122T4規(guī)格書詳情

Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

? Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)

? Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix)

? Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)

? Surface Mount Replacements for 2N6040–2N6045 Series, TIP120–TIP122 Series, and TIP125–TIP127 Series

? Monolithic Construction With Built–in Base–Emitter Shunt Resistors

? High DC Current Gain — hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc

? Complementary Pairs Simplifies Designs

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MJD122T4

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    剪切帶(CT)

  • 晶體管類型:

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    2V @ 15mA,4A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 4A,4V

  • 頻率 - 躍遷:

    4MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS DARL NPN 8A 100V DPAK

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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