MJD122T4分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
MJD122T4 |
參數屬性 | MJD122T4 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為剪切帶(CT);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS DARL NPN 8A 100V DPAK |
功能描述 | Complementary Darlington Power Transistor |
封裝外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 |
文件大小 |
136.31 Kbytes |
頁面數量 |
7 頁 |
生產廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導體】 |
中文名稱 | 安森美半導體公司官網 |
原廠標識 | |
數據手冊 | |
更新時間 | 2025-2-5 14:54:00 |
MJD122T4規(guī)格書詳情
MJD122T4屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產的MJD122T4晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。
產品屬性
更多- 產品編號:
MJD122T4
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
剪切帶(CT)
- 晶體管類型:
NPN - 達林頓
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
2V @ 15mA,4A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
10μA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
1000 @ 4A,4V
- 頻率 - 躍遷:
4MHz
- 工作溫度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應商器件封裝:
DPAK
- 描述:
TRANS DARL NPN 8A 100V DPAK
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
2407+ |
30098 |
全新原裝!倉庫現貨,大膽開價! |
詢價 | |||
ON |
202029+ |
TO-252 |
290 |
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詢價 | ||
ST/意法半導體 |
24+ |
TO-252 |
7188 |
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ST |
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TO-252 |
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ST/意法 |
22+ |
TO252 |
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ST/意法 |
23+ |
TO-252 |
10000 |
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STM |
11+ |
DPAK(TO-252) |
20000 |
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STM |
17+ |
SOT-252 |
9888 |
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ST/意法 |
15+ |
TO252 |
76 |
原裝現貨 |
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ST |
23+ |
TO252 |
8678 |
原廠原裝 |
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