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MJD127-251中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MJD127-251
廠商型號

MJD127-251

功能描述

Silicon PNP Power Transistor

文件大小

300.34 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-21 20:17:00

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MJD127-251規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·Low Collector-Emitter saturation voltage

·Lead formed for surface mount applications

·High DC current gain

APPLICATIONS

·Designed for general purpose amplifier

and low speed switching applications.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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